南亚日前在SemiTech会议上详列出DDR-3现定的技术标准出来，具体对比我们之前所知的虽然并无太大差异，不过在场南亚展示的自有DDR-3内存样板却明确采用了和现在DDR-2相同的240针安装界面。。无论如何现有DDR-2主板及AM2界面K8能否在未来向上支持DDR-3内存的确还是个未知之数（可能性事实不大），而Intel目前已明确会在07年推出支援DDR-3的芯片组，至于AMD方面则也将在08年推出兼容DDR-2/3使用的新K8。
说回正题，DDR-3具体技术标准暂时已知为1.5V工作电压（DDR-2为1.8V）目标功耗更低，8 Pre-fetch架构（DDR-2为4 Pre-fetch），内存整合热量探测器可令用户通过主板BIOS看到内存的工作温度，标准工作频率从800/1066/1333/1600MHz（相对DDR-2的频率及带宽更高）不等，CL 5-10（DDR-2为CL 3-5），PASR及ASR电源管理模式对应，芯片方面现定将采用78或96针的FBGA封装并以70nm制程投产。
DDR-3标准目前正在JEDEC协会审订当中，预期可于明年底或08年初正式制订，南亚方面也已规划在今年下半年向合作厂商供应自有的DDR-3样板，但南亚现在也并不预期DDR-3可在08年前成为市场主流。目前三星，奇梦达和易必达均已明确将在07年下半年开始将DDR-3内存投入市场，但相关产品预期最快则也要到09年才能取代现有DDR-2的主流地位。[相关链接1][相关链接2]
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